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晶圓尺寸二維半導體材料異質結的合成與光電器件構築

發(fa)布時(shi)間:2022-07-28點擊(ji)量:283

采(cai)用(yong)MOCVD 連(lian)續(xu)式生(sheng)長(zhang)方式(shi)製備(bei)晶圓尺(chi)寸(cun)的TMDC 範德(de)華(hua)異(yi)質(zhi)結(jie)。選(xuan)擇(ze)MoS2 和(he)WSe2 為(wei)例(li),首(shou)先(xian)分別(bie)生長這兩(liang)種(zhong)材(cai)料(liao)的(de)低(di)成(cheng)核密度、高(gao)結晶(jing)質量(liang)單(dan)層(ceng)薄膜(mo),並(bing)在其(qi)中一種薄(bao)膜表麵直(zhi)接(jie)生長範德華異質結,揭(jie)示(shi)成核(he)與生長動(dong)力(li)學(xue)機(ji)製(zhi),建(jian)立(li)關鍵(jian)製備技(ji)術(shu);並在此(ci)基礎(chu)上(shang)設計(ji)具(ju)有優(you)異性(xing)能(neng)的範(fan)德華異質結光(guang)電(dian)器(qi)件(jian)。組(zu)成的扭卷(juan)式執行器可作(zuo)為未(wei)來(lai)人(ren)工(gong)肌(ji)肉(rou)等(deng)可(ke)穿(chuan)戴器件

本(ben)項目(mu)獲(huo)批(pi)省(sheng)傑(jie)出(chu)青(qing)年(nian)科(ke)學基金(jin)項(xiang)目;

項目相(xiang)關技術成果(guo)分(fen)別在(zai)ScienceNature Nanotechnology期刊(kan)各(ge)發表(biao)一篇(pian)論(lun)文,申請(qing)發明(ming)專(zhuan)利(li)9項。

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